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BGM7MLLM4L12E6327XTSA1RF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料

BGM7MLLM4L12E6327XTSA1
厂商型号

BGM7MLLM4L12E6327XTSA1

参数属性

BGM7MLLM4L12E6327XTSA1 封装/外壳为12-XFQFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC AMP LTE 700MHZ-2.1GHZ TSLP12

功能描述

Infineon?셲 New LTE Low Noise Amplifiers Almost Double Smartphone Data Rates
IC AMP LTE 700MHZ-2.1GHZ TSLP12

封装外壳

12-XFQFN 裸露焊盘

文件大小

220.85 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-29 9:07:00

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BGM7MLLM4L12E6327XTSA1规格书详情

BGM7MLLM4L12E6327XTSA1属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由英飞凌科技股份公司制造生产的BGM7MLLM4L12E6327XTSA1射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BGM7MLLM4L12E6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 频率:

    700MHz ~ 2.1GHz

  • 增益:

    13dB

  • 射频类型:

    LTE

  • 电压 - 供电:

    1.5V ~ 3.3V

  • 电流 - 供电:

    4.5mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    12-XFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    TSLP-12-4

  • 描述:

    IC AMP LTE 700MHZ-2.1GHZ TSLP12

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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