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BGM7MLLM4L12E6327XTSA1RF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BGM7MLLM4L12E6327XTSA1 |
| 参数属性 | BGM7MLLM4L12E6327XTSA1 封装/外壳为12-XFQFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器；产品描述：IC AMP LTE 700MHZ-2.1GHZ TSLP12 |
| 功能描述 | Infineon?셲 New LTE Low Noise Amplifiers Almost Double Smartphone Data Rates |
| 封装外壳 | 12-XFQFN 裸露焊盘 |
| 文件大小 |
220.85 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | Infineon |
| 中文名称 | 英飞凌 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-8 10:31:00 |
| 人工找货 | BGM7MLLM4L12E6327XTSA1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BGM7MLLM4L12E6327XTSA1规格书详情
BGM7MLLM4L12E6327XTSA1属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由英飞凌科技股份公司制造生产的BGM7MLLM4L12E6327XTSA1射频放大器在射频应用中，射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于，它们通常适用于更高的频率，更倾向于提供不可调节的固定增益，并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。
产品属性
更多- 产品编号：
BGM7MLLM4L12E6327XTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 频率：
700MHz ~ 2.1GHz
- 增益：
13dB
- 射频类型：
LTE
- 电压 - 供电：
1.5V ~ 3.3V
- 电流 - 供电：
4.5mA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
12-XFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
TSLP-12-4
- 描述：
IC AMP LTE 700MHZ-2.1GHZ TSLP12
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
22+ |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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Infineon |
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Infineon Technologies |
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12-XFQFN 裸露焊盘 |
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Infineon |
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BYD |
22+ |
TO247 |
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