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BGH75N65ZF1规格书详情
描述 Description
基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合,为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封,在部分应用中可以替代传统的IGBT(硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封),使IGBT的开关损耗大幅降低,适用于储能(ESS)、车载充电器(OBC)、不间断电源(UPS)、光伏组串逆变器等领域。
技术参数
- 制造商编号
:BGH75N65ZF1
- 生产厂家
:BASiC
- IC(A) @100℃
:75
- VCE (sat)(V)
:1.6
- VF(V)
:1.5
- Eon(mJ)
:1.21
- Eoff(mJ)
:1.3
- Package Name
:TO-247-4
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
15680 |
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INFINEON |
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INFINEON |
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SMD |
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INFINEON |
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BASIC/基本半导体 |
23+ |
TO-247-4 |
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INFINEO |
23+ |
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BASIC/基本半导体 |
23+ |
TO-247-4 |
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