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BGH75N65HF1中文资料混合碳化硅分立器件数据手册BASiC规格书

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厂商型号

BGH75N65HF1

功能描述

混合碳化硅分立器件

制造商

BASiC BASIC SEMICONDUCTOR

中文名称

基本半导体 深圳基本半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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BGH75N65HF1规格书详情

描述 Description

基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合,为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封,在部分应用中可以替代传统的IGBT(硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封),使IGBT的开关损耗大幅降低,适用于储能(ESS)、车载充电器(OBC)、不间断电源(UPS)、光伏组串逆变器等领域。

技术参数

  • 制造商编号

    :BGH75N65HF1

  • 生产厂家

    :BASiC

  • IC(A) @100℃

    :75

  • VCE (sat)(V)

    :1.6

  • VF(V)

    :1.51

  • Eon(mJ)

    :2.04

  • Eoff(mJ)

    :1.19

  • Package Name

    :TO-247-3

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