丝印：BGH50N65HF1；Package：TO-247-3；Hybrid SiC Discrete Devices

Features Low VCE(sat) Trench FS Technology High Speed Switching Hybrid SiC Discrete Devices Halogen Free, RoHS Complian Applications UPS PV Inverter Welding Machine On-board Charger Totem Pole Bridgeless PFC High Frequency Motor Drive

文件：3.02991 Mbytes 页数：13 Pages

BASICSEMI

基本半导体

混合碳化硅分立器件

基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT（硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封），使IGBT的开关损耗大幅降低，适用于储能（ESS）、车载充电器（OBC）、不间断电源（UPS）、光伏组串逆变器等领域。

BASiC

基本半导体

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Infineon Technologies

上传：深圳市集好芯城科技有限公司

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