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BGB707L7ESDE6327XTSA1

Wideband MMIC LNA with Integrated ESD Protection

Features • High performance general purpose wideband MMIC LNA • ESD protection integrated for all pins (3 kV for RF input vs. GND, 2 kV for all other pin combinations, HBM) • Integrated active biasing circuit enables stable operating point against temperature- and processing-variations • Excel

文件:1.91463 Mbytes 页数:33 Pages

INFINEON

英飞凌

BGB707L7ESDE6327XTSA1

Package:6-XFDFN 裸露焊盘;包装:托盘 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC RF AMP 802.11A/B/G/N TSLP7-1

INFINEON

英飞凌

BGB707L7ESDE6327XTSA1

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Infineon Technologies

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Infineon Technologies

BGB717L7ESDE6327XTSA1

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Infineon Technologies

BGB719N7ESDE6327XTMA1

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Infineon Technologies

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Infineon Technologies

产品属性

  • 产品编号:

    BGB707L7ESDE6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    托盘

  • 频率:

    2.3GHz,2.7GHz

  • P1dB:

    8dBm

  • 增益:

    27dB

  • 噪声系数:

    0.7dB

  • 射频类型:

    802.11a/b/g/n

  • 电压 - 供电:

    1.8V ~ 4V

  • 电流 - 供电:

    25mA

  • 测试频率:

    1.5GHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-XFDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    PG-TSLP-7-1

  • 描述:

    IC RF AMP 802.11A/B/G/N TSLP7-1

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更多BGB707L7ESDE6327供应商 更新时间2026-10-13 9:38:00