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BGA9H1MN9E6329XTSA1

Mid- and High-Band Low Noise Amplifier with Gain Steps and MIPI Control

1 Features  Power gain: 20.2 dB  Low noise figure: 0.6 dB  Low current consumption: 5.8mA  Frequency range from 1.4 to 2.7 GHz  Supply voltage: 1.1 to 2.0 V  Integrated MIPI RFFE interface operating in 1.65 to 1.95 V voltage range  Soware programmable MIPI RFFE USID  USID select p

文件:663.59 Kbytes 页数:21 Pages

Infineon

英飞凌

BGA9H1MN9E6329XTSA1

Package:9-XFLGA;包装:托盘 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:RF MMIC 3 TO 6 GHZ PG-TSNP-9

Infineon

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BGAH1A10E6327XTSA1

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Infineon Technologies

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BGAV1A10E6327XTSA1

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Infineon Technologies

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Infineon Technologies

产品属性

  • 产品编号:

    BGA9H1MN9E6329XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    托盘

  • 频率:

    1.4GHz ~ 2.7GHz

  • P1dB:

    5dBm

  • 增益:

    20.5dB

  • 噪声系数:

    1.2dB

  • 射频类型:

    4G,5G

  • 电压 - 供电:

    1.1V ~ 2V

  • 电流 - 供电:

    5.8mA

  • 测试频率:

    2.6GHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    9-XFLGA

  • 供应商器件封装:

    PG-TSNP-9-2

  • 描述:

    RF MMIC 3 TO 6 GHZ PG-TSNP-9

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多BGA9H1MN9E6329XTSA1供应商 更新时间2025-12-17 14:01:00