多功能 LNA

BGA8V1BN6 是用于 LTE 的前端低噪声放大器，覆盖 3.3 GHz 至 3.8 GHz 的宽频率范围。该 LNA 在 4.2mA 电流消耗下提供 15.0 dB 增益和 1.2 dB 噪声系数。在旁路模式下，LNA 提供 5.3 dB 的插入损耗。BGA8V1BN6 基于英飞凌科技 B9HF 硅锗技术。其工作电源电压为 1.6 V 至 3.1 V。该设备具有多状态控制（关闭、旁路和高增益模式）。 • 插入功率增益：15.0 dB\n• 旁路模式下的插入损耗：5.3 dB\n• 低噪声系数：1.2dB\n• 低电流消耗：4.2mA\n• 工作频率：3.3 - 3.8 GHz\n• 多态控制：关闭、旁路和高增益模式\n• 电源电压：1.6 V 至 3.1 V\n• 超小型 TSNP-6-2 无铅封装（占用空间：0.7 x 1.1 mm2）\n• B9HF 硅锗技术\n• RF 输入和 RF 输出内部匹配至 50 Ohm\n• 无需外部 SMD 元件\n• 2kV HBM ESD 保护（包括 AI 引脚）\n• 无铅（符合 RoHS 标准）封装;

Infineon

英飞凌

丝印：X；Package：TSNP-6-2；Low Noise Amplifier for LTE Band 42 and Band 43

文件：303.22 Kbytes 页数：11 Pages

Infineon

英飞凌

Package：6-XFDFN；包装：盒 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP 3.4GHZ-3.8GHZ TSNP6-2

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上传：深圳市集好芯城科技有限公司

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