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BGA427

Si-MMIC-Amplifier in SIEGET 25-Technologie

Si-MMIC-Amplifier in SIEGET® 25-Technologie • Cascadable 50 Ω-gain block • Unconditionally stable • Gain |S21|2 = 18.5 dB at 1.8 GHz (Appl.1) gain |S21|2 = 22 dB at 1.8 GHz (Appl.2) IP3out = +7 dBm at 1.8 GHz (VD=3V, ID=9.4mA) • Noise figure NF = 2.2 dB at 1.8 GHz • Typical device voltage VD

文件:58.53 Kbytes 页数:5 Pages

INFINEON

英飞凌

BGA427

Si-MMIC-Amplifier in SIEGET 25-Technologie (Cascadable 50 W-gain block Unconditionally stable)

Preliminary data • Cascadable 50 Ω-gain block • Unconditionally stable • Gain |S21|2 = 18,5 dB at 1.8 GHz (appl.1) gain |S21|2 = 22 dB at 1.8 GHz (appl.2) IP3out = +7 dBm at 1.8 GHz (VD=3V, ID=9.4mA) • Noise figure NF = 2.2 dB at 1.8 GHz • typical device voltage VD = 2 V to 5 V • Reverse iso

文件:35.35 Kbytes 页数:5 Pages

SIEMENS

西门子

BGA427

Si-MMIC-Amplifier in SIEGET 25-Technologie

文件:548.05 Kbytes 页数:7 Pages

INFINEON

英飞凌

BGA427

Si-MMIC-Amplifier in SIEGET 25-Technologie

文件:165.17 Kbytes 页数:7 Pages

INFINEON

英飞凌

BGA427

多功能 LNA

SIEGET ® 25-Technologie 中的 Si-MMIC 放大器 •  可级联 50 Ω 增益模块\n•  增益 |S21|2 = 18.5 dB,频率为 1.8 GHz (应用 1)增益 |S21|2 = 22 dB,频率为 1.8 GHz (应用 2)IP3out = +7 dBm @ 1.8 GHz(VD=3V,ID=9.4mA)\n•  典型器件电压 VD = 2 V 至 5 V\n• 无铅(符合 RoHS 标准的)封装;

Infineon

英飞凌

BGA427_07

Si-MMIC-Amplifier in SIEGET 25-Technologie

文件:165.17 Kbytes 页数:7 Pages

INFINEON

英飞凌

BGA427H6327XTSA1

Si-MMIC-Amplifier in SIEGET 25-Technologie

文件:548.05 Kbytes 页数:7 Pages

INFINEON

英飞凌

BGA427E6327BTSA1

Package:SC-82A,SOT-343;包装:卷带(TR) 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC AMP BLU TH 100MHZ-3GHZ SOT343

INFINEON

英飞凌

BGA427H6327XTSA1

Package:SC-82A,SOT-343;包装:托盘 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC RF AMP GP 0HZ-3GHZ SOT343-4

INFINEON

英飞凌

技术参数

  • IIP3:

    7 dBm

  • NF:

    2 dB

  • P-1dB (in):

    -3

  • VCC operating:

    3 V to 5 V

  • Gain:

    22 dB

  • Frequency:

    DC-3 GHz

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon(英飞凌)
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更多BGA427供应商 更新时间2026-4-17 23:00:00