Si-MMIC-Amplifier in SIEGET 25-Technologie

Si-MMIC-Amplifier in SIEGET® 25-Technologie • Cascadable 50 Ω-gain block • Unconditionally stable • Gain |S21|2 = 13 dB at 1.8 GHz IP3out = +13 dBm at 1.8 GHz (VD = 3 V, ID = typ. 6.7 mA) • Noise figure NF = 2.2 dB at 1.8 GHz • Reverse isolation > 28 dB and return loss IN / OUT > 12 dB at 1.8

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INFINEON

英飞凌

Si-MMIC-Amplifierin SIEGET 25-Technologie (Cascadable 50 廓-gain block Unconditionally stable)

Si-MMIC-Amplifier in SIEGET® 25-Technologie Preliminary data • Cascadable 50 Ω-gain block • Unconditionally stable • Gain |S21|2 = 13 dB at 1.8 GHz IP3out = +9 dBm at 1.8 GHz (VD = 3 V, ID = typ. 6.4 mA) • Noise figure NF = 2.2 dB at 1.8 GHz • Reverse isolation > 28 dB and return loss IN / O

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SIEMENS

西门子

Si-MMIC-Amplifier in SIEGET 25-Technologie

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英飞凌

多功能 LNA

SIEGET ® 25-Technologie 中的 Si-MMIC 放大器 • 可级联 50 Ω 增益模块\n• 增益 |S21|2 = 13 dB (1.8 GHz) IP3out = +13 dBm (1.8 GHz)（VD = 3 V，ID = 典型值。6.7 mA)\n•  反向隔离度 > 28 dB 且回波损耗 IN / OUT > 12 dB @ 1.8 GHz\n•  无铅（符合 RoHS 标准）封装;

Infineon

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Si-MMIC-Amplifier in SIEGET 25-Technologie

Si-MMIC-Amplifier in SIEGET® 25-Technologie • Cascadable 50 Ω-gain block • Unconditionally stable • Gain |S21|2 = 13 dB at 1.8 GHz IP3out = +13 dBm at 1.8 GHz (VD = 3 V, ID = typ. 6.7 mA) • Noise figure NF = 2.2 dB at 1.8 GHz • Reverse isolation > 28 dB and return loss IN / OUT > 12 dB at 1.8

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Si-MMIC-Amplifier in SIEGET 25-Technologie

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Package：SC-82A，SOT-343；包装：卷带（TR） 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP GP 0HZ-3GHZ SOT343-4

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Package：SC-82A，SOT-343；包装：带 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP GP 0HZ-3GHZ SOT343-4

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Package：SC-82A，SOT-343；包装：卷带（TR）剪切带（CT） 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP GP 0HZ-3GHZ SOT343-4

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