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BG12N70A	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	BGSEMI	BGSEMI
NJ12N70	文件：1.00989 Mbytes Page：9 Pages	12A 700V N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES 0.88 * VDS =700V * ID = 12A * RDS(ON) = Ω@VGS = 10V. * Low gate charge ( typical 44 nC) * Low Crss ( typical 18 pF) * Fast switching * 100 avalanche tested * Improved dv/dt capability 文件：1.00989 Mbytes 页数：9 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
NJ12N70-BL	文件：1.00989 Mbytes Page：9 Pages	12A 700V N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES 0.88 * VDS =700V * ID = 12A * RDS(ON) = Ω@VGS = 10V. * Low gate charge ( typical 44 nC) * Low Crss ( typical 18 pF) * Fast switching * 100 avalanche tested * Improved dv/dt capability 文件：1.00989 Mbytes 页数：9 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ
NJ12N70F-LI	文件：1.00989 Mbytes Page：9 Pages	12A 700V N-CHANNEL POWER MOSFET FEATURES 0.88 * VDS =700V * ID = 12A * RDS(ON) = Ω@VGS = 10V. * Low gate charge ( typical 44 nC) * Low Crss ( typical 18 pF) * Fast switching * 100 avalanche tested * Improved dv/dt capability 文件：1.00989 Mbytes 页数：9 Pages	DGNJDZ 南晶电子	DGNJDZ

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