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BFY64

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued)

文件:56.96 Kbytes 页数:1 Pages

CENTRAL

BFY64

Bipolar PNP Device

文件:11.13 Kbytes 页数:1 Pages

SEME-LAB

BFY640

HiRel NPN Silicon Germanium RF Transistor

HiRel NPN Silicon Germanium RF Transistor ● HiRel Discrete and Microwave Semiconductor ● High gain low noise RF transistor ● High maximum stable gain: Gms 24dB at 1.8 GHz ● Noise figure F = 0.8 dB at 1.8 GHz Noise figure F = 1.1 dB at 6 GHz ● Hermetically sealed microwave package

文件:136.06 Kbytes 页数:3 Pages

INFINEON

英飞凌

BFY640B

HiRel NPN Silicon Germanium RF Transistor

HiRel NPN Silicon Germanium RF Transistor ● HiRel Discrete and Microwave Semiconductor ● High gain low noise RF transistor ● High maximum stable gain: Gms 24dB at 1.8 GHz ● Noise figure F = 0.8 dB at 1.8 GHz Noise figure F = 1.1 dB at 6 GHz ● Hermetically sealed microwave package

文件:136.06 Kbytes 页数:3 Pages

INFINEON

英飞凌

BFY64

Bipolar Junction Transistors

TT Electronics

BFY640-04 (ES)

高可靠性分立器件

HiRel微波晶体管 • HiRel 分立和微波半导体\n• 高最大稳定增益:1.8 GHz 时 Gms 24dB\n• 6 GHz 时噪声系数 F = 1.1 dB\n• 密封微波封装\nESA 航天合格 ESCC 详细规格。编号:5611/009/03 B;

Infineon

英飞凌

BFY640

HiRel NPN Silicon Germanium RF Transistor

Infineon

英飞凌

晶体管资料

  • 型号:

    BFY64

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-PNP

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    40V

  • 最大电流允许值:

    0.6A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    BSV82,BSW23,BSW36,BSW40,BSW93,2N3467,2N3468,3CG130C,

  • 最大耗散功率:

    0.7W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    C-40

  • vtest:

    40

  • htest:

    999900

  • atest:

    0.6

  • wtest:

    0.7

技术参数

  • ICmax:

    50 mA

  • Ptotmax:

    200 mW

  • RthJSmax:

    325 K/W

  • VCEOmax:

    4 V

  • Package:

    Micro-X

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更多BFY64供应商 更新时间2026-4-16 14:30:00