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BFX29	文件：19.07 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR APPLICATIONS • General Purpose Industrial Applications 文件：19.07 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BFX29	文件：110.93 Kbytes Page：3 Pages	SILICON PNP TRANSISTOR PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR APPLICATIONS • General Purpose Industrial Applications 文件：110.93 Kbytes 页数：3 Pages	TTELEC	TTELEC
BFX29	文件：21.64 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：21.64 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BFX29_03	文件：21.64 Kbytes Page：2 Pages	PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 文件：21.64 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BFX29	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin TO-39	NJS	NJS
BFX29	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Junction Transistors	TT Electronics	TT Electronics

晶体管资料

型号：
BFX29
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-PNP
性质：
射频/高频放大（HF）_开关管（S）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
60V
最大电流允许值：
0.6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC161,BC303,.2N2904,2N2905,2N4404,3CK9D,
最大耗散功率：
0.6W
放大倍数：
图片代号：
C-40
vtest：
60
htest：
999900
atest：
0.6
wtest：
0.6

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
60V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
0.4@15mA@150mAV
Maximum Collector Emitter Voltage：
60V
Maximum DC Collector Current：
0.6A
Maximum Emitter Base Voltage：
5V
Maximum Operating Temperature：
200°C
Maximum Power Dissipation：
600mW
Maximum Transition Frequency：
360(Typ)MHz
Type：
PNP

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