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BFU730F中文资料NPN宽带硅锗RF晶体管数据手册恩XP规格书

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厂商型号

BFU730F

功能描述

NPN宽带硅锗RF晶体管

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2026-2-2 15:18:00

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BFU730F规格书详情

描述 Description

NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.

特性 Features

110 GHz fT silicon germanium technology
High maximum power gain 18.5 dB at 5.8 GHz
Low noise high gain microwave transistor
Noise figure (NF) = 0.8 dB at 5.8 GHz

应用 Application

直播卫星高频头第二LNA级和混频级
AMR
蓝牙
FM收音机
GPS
Ka频段振荡器DRO
配备低电流电池的应用
微波通信系统低噪声放大器
LTE、蜂窝、UMTS
微波驱动器/缓冲器应用
移动电视
RKE
SDARS第一级LNA
Wi-Fi / WLAN / WiMAX
ZigBee

技术参数

  • 型号:

    BFU730F

  • 功能描述:

    射频硅锗晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies 发射极 - 基极电压

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
22+
SMD
18000
原装正品
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恩XP
24+
SOT343F
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22+
SOT343
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