BFU660F中文资料NPN宽带硅RF晶体管数据手册恩XP规格书
BFU660F规格书详情
描述 Description
NPN silicon microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.
特性 Features
40 GHz fT silicon technology
High output third-order intercept point 27 dBm at 1.8 GHz
Low noise high linearity RF transistor
应用 Application
模拟/数字无绳应用
LTE、蜂窝、UMTS
SDARS第二级LNA
X频段高输出缓冲放大器
ZigBee
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
2024+ |
N/A |
70000 |
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恩XP |
2223+ |
SOT-23 |
26800 |
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恩XP |
2450+ |
SOT343 |
985 |
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恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
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恩XP |
25+ |
原厂封装 |
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CCSEMI/芯能圆 |
24+ |
SOT343F |
9600 |
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恩XP |
25+ |
原装 |
32360 |
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恩XP |
2025+ |
SOT-343 |
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恩XP |
23+ |
N/A |
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恩XP |
24+ |
SOT-343 |
39500 |
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