BFU710F中文资料NPN宽频带硅锗RF晶体管数据手册恩XP规格书
BFU710F规格书详情
描述 Description
NPN silicon germanium microwave transistor for high speed, low noise applications in a plastic, 4-pin dual-emitter SOT343F package.
特性 Features
110 GHz fT silicon germanium technology
High maximum power gain 14 dB at 12 GHz
Low noise high gain microwave transistor
Noise figure (NF) = 1.45 dB at 12 GHz
应用 Application
DBS LNB中的第2 LNA级以及混频器级
AMR
蓝牙
FM收音机
GPS
Ka频段振荡器DRO
配备低电流电池的应用
用于微波通信系统的低噪声放大器
微波驱动器/缓冲器应用
移动电视
RKE
ZigBee
技术参数
- 型号：
BFU710F
- 功能描述：
射频硅锗晶体管 NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS
- RoHS：
否
- 制造商：
Infineon Technologies 发射极 - 基极电压
- 封装：
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
CCSEMI/芯能圆 |
23+ |
SOT343F |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
SOT143 |
6000 |
公司现货库存,支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT343 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT343F |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
SOT343 |
90 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
NA |
58450 |
清仓原装假一赔命 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
恩XP |
26+ |
SOT343 |
86720 |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
询价 | ||
恩XP |
2025+ |
SOT-343 |
5000 |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT343 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 |
