NPN 9 GHz wideband transistor

DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT323 envelope. It is intended for low power amplifiers, oscillators and mixers particularly in RF portable communication equipment (cellular phones, cordless phones, pagers) up to 2 GHz. FEATURES • Low current consumption • High power gain • Low nois

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PHI

飞利浦

RF Manual 16th edition

General description 10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz. Features and benefits ■ High efficiency ■ Excellent ruggedness ■ Designed for broadband operation ■ Excellent thermal stability ■ High power gain ■ Integrated ESD p

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恩XP

NPN 9 GHz wideband transistor

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JMNIC

锦美电子

NPN 9 GHz wideband transistor

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JMNIC

锦美电子

NPN 9 GHz wideband transistor

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JMNIC

锦美电子

NPN 9 GHz宽频带晶体管

NPN晶体管，采用SOT323塑料封装。该晶体管设计用于低功耗放大器、振荡器和混频器，尤其适合高达2 GHz的便携式RF通信设备（移动电话、无绳电话、寻呼机）中的这类器件。 金属化镀金确保极佳的可靠性\n高功率增益\n高传送频率\n低噪声;

恩XP

高频三极管

MXTronics

时代民芯

包装：散装 类别：电源 - 外部/内部（板外） AC DC 转换器 描述：AC/DC CONVERTER 24V 500W

inventuspower

包装：散装 类别：电源 - 外部/内部（板外） AC DC 转换器 描述：AC/DC CONVERTER 48V 500W

inventuspower