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BFR92W分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

BFR92W
厂商型号

BFR92W

参数属性

BFR92W 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323-3

功能描述

NPN Silicon RF Transistor
RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323-3

封装外壳

SC-70,SOT-323

文件大小

80.56 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
INFINEON
数据手册

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更新时间

2025-8-3 11:01:00

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BFR92W规格书详情

BFR92W属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BFR92W晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor

• For broadband amplifiers up to 2 GHz and fast non-saturated switches at collector currents from 0.5 mA to 20 mA

• Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free package with visible leads

• Qualification report according to AEC-Q101 available

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BFR92WH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    15V

  • 频率 - 跃迁:

    5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

  • 增益:

    11.5dB ~ 17dB

  • 功率 - 最大值:

    280mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 15mA,8V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    45mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT323

  • 描述:

    RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT323-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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