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BFR92ALT1分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

BFR92ALT1
厂商型号

BFR92ALT1

参数属性

BFR92ALT1 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS 15V 4.5GHZ SOT23

功能描述

RF & MICROWAVE TRANSISTORS
RF TRANS 15V 4.5GHZ SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

325.01 Kbytes

页面数量

1

生产厂商 Microsemi Corporation
企业简称

MICROSEMI美高森美

中文名称

美高森美公司官网

原厂标识
MICROSEMI
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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BFR92ALT1规格书详情

BFR92ALT1属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由美高森美公司制造生产的BFR92ALT1晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

DESCRIPTION

The BFR92ALT1 is a low noise, high gain, discrete silicon bipolar transistors housed in low cost plastic packages.

KEY FEATURES

■ High FTau-4.5GHz

■ Low noise-3.0dB@500MHz

■ Low cost SOT23 package

AP

PLICATIONS/BENEFITS

■ LNA, Oscillator, Pre-Driver

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BFR92ALT1

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    15V

  • 频率 - 跃迁:

    4.5GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    3dB @ 500MHz

  • 功率 - 最大值:

    273mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 14mA,10V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    25mA

  • 工作温度:

    150°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23

  • 描述:

    RF TRANS 15V 4.5GHZ SOT23

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