BFR92ALT1分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
BFR92ALT1 |
参数属性 | BFR92ALT1 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS 15V 4.5GHZ SOT23 |
功能描述 | RF & MICROWAVE TRANSISTORS |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
文件大小 |
325.01 Kbytes |
页面数量 |
1 页 |
生产厂商 | Microsemi Corporation |
企业简称 |
MICROSEMI【美高森美】 |
中文名称 | 美高森美公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-1 23:00:00 |
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BFR92ALT1规格书详情
BFR92ALT1属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由美高森美公司制造生产的BFR92ALT1晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
DESCRIPTION
The BFR92ALT1 is a low noise, high gain, discrete silicon bipolar transistors housed in low cost plastic packages.
KEY FEATURES
■ High FTau-4.5GHz
■ Low noise-3.0dB@500MHz
■ Low cost SOT23 package
AP
PLICATIONS/BENEFITS
■ LNA, Oscillator, Pre-Driver
产品属性
更多- 产品编号:
BFR92ALT1
- 制造商:
Microsemi Corporation
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
带
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
15V
- 频率 - 跃迁:
4.5GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
3dB @ 500MHz
- 功率 - 最大值:
273mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
40 @ 14mA,10V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
25mA
- 工作温度:
150°C
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:
SOT-23
- 描述:
RF TRANS 15V 4.5GHZ SOT23
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
24+ |
NA/ |
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