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Robust Low Noise Broadband Pre-Matched Bipolar RF Transistor Product Brief The BFR843EL3 is a low noise broadband NPN bipolar RF transistor. Its integrated feedback provides a broadband pre-match to 50 Ω at input and output and improves the stability against parasitic oscillations. These measures simplify the design of arbitrary LNA application circuits. T 文件:1.52064 Mbytes 页数:27 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 文件:1.49687 Mbytes 页数:28 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
低噪声RF 管基 BFR840L3RHESD 是一款分立式射频异质结双极晶体管 (HBT),具有集成 ESD 保护功能,适用于 5 GHz 频段应用。 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合:最大 RF 输入功率 20 dBm,1.5kV HBM ESD 硬度\n• 高增益 Gms = 22 dB(5.5 GHz 时),1.8 V,10 mA\n• 非常适合低压应用,例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V(2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻)\n• 薄型、小尺寸无引线封装; | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
低噪声RF 管基 BFR843EL3 是一款低噪声双频段预匹配放大器,采用 TSLP 薄型封装,适用于高速、低功耗应用。 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合:20 dBm 最大 RF 输入功率和 1 kV HBM ESD 硬度\n• 高增益 Gms = 24 dB(2.4 GHz、1.8 V、15 mA 时)和 21.5 dB(5.5 GHz、1.8 V、15 mA 时)\n• 适用于低压应用,例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V(2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻)\n• 薄型、小尺寸无引线封装; | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
Package:SC-101,SOT-883;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 2.6V 75GHZ TSLP-3 | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
Package:3-XFDFN;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 2.6V TSLP-3-10 | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- Gmax:
24 dB @900 MHz
- ICmax:
55 mA
- NFmin:
0.95 dB @900 MHz
- OIP3:
21 dBm
- Ptot:
125 mW
- VCEOmax:
2.25 V
- Package:
TSLP-3-10
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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TSLP-3 |
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