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BFR360	文件：100.39 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon RF Transistor NPN Silicon RF Transistor Preliminary data • Low voltage/ low current operation • For low noise amplifiers • For Oscillators up to 3.5 GHz and Pout > 10 dBm • Low noise figure: 1.0 dB at 1.8 GHz 文件：100.39 Kbytes 页数：4 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFR360	文件：101.16 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon RF Transistor NPN Silicon RF Transistor* • Low voltage/ Low current operation • For low noise amplifiers • For Oscillators up to 3.5 GHz and Pout > 10 dBm • Low noise figure: 1.0 dB at 1.8 GHz • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 * Short term description 文件：101.16 Kbytes 页数：4 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFR360	文件：140.21 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon RF Transistor Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor • Low noise amplifier for low current applications • Collector design supports 5 V supply voltage • For oscillators up to 3.5 GHz • Low noise figure 1.0 dB at 1.8 GHz • Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free thin small flat package with visible l 文件：140.21 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFR360	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Silicon RF Transistor	Infineon 英飞凌	Infineon
BFR360F	文件：140.21 Kbytes Page：8 Pages	NPN Silicon RF Transistor Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor • Low noise amplifier for low current applications • Collector design supports 5 V supply voltage • For oscillators up to 3.5 GHz • Low noise figure 1.0 dB at 1.8 GHz • Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free thin small flat package with visible l 文件：140.21 Kbytes 页数：8 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFR360L3	文件：101.16 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon RF Transistor NPN Silicon RF Transistor* • Low voltage/ Low current operation • For low noise amplifiers • For Oscillators up to 3.5 GHz and Pout > 10 dBm • Low noise figure: 1.0 dB at 1.8 GHz • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 * Short term description 文件：101.16 Kbytes 页数：4 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFR360T	文件：100.39 Kbytes Page：4 Pages	NPN Silicon RF Transistor NPN Silicon RF Transistor Preliminary data • Low voltage/ low current operation • For low noise amplifiers • For Oscillators up to 3.5 GHz and Pout > 10 dBm • Low noise figure: 1.0 dB at 1.8 GHz 文件：100.39 Kbytes 页数：4 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFR360F	文件：553.6 Kbytes Page：11 Pages	NPN Silicon RF Transistor 文件：553.6 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFR360F	文件：583.83 Kbytes Page：9 Pages	Low noise amplifier for low current applications 文件：583.83 Kbytes 页数：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
BFR360F_10	文件：553.6 Kbytes Page：11 Pages	NPN Silicon RF Transistor 文件：553.6 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Gmax：
15.50 dB @1900 MHz
ICmax：
35 mA
NFmin：
1 dB @1900 MHz
OIP3：
24 dBm
OP1dB：
9 dBm
Ptot：
210 mW
VCEOmax：
6 V
Package：
TSFP-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	BFR360FE6327	INF	24+		108000		询价
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更多BFR360供应商更新时间2025-12-1 10:50:00

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