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BFR35A

NPN SILICON TRANSISTOR FOR LOW-NOISE RF BROADBAND AMPLIFIERS AND HIGH-SPEED SWITCHING APPLICATIONS

Infineon

英飞凌

BFR35AP

低噪声RF 管基

NPN 硅射频晶体管,用于集电极电流为 0.5mA 至 20 mA 时高达 2GHz 的低失真宽带放大器和振荡器 • 适用于集电极电流为 0.5mA 至 20 mA 时频率高达 2GHz 的低失真宽带放大器和振荡器\n• 无铅(符合 RoHS 标准)封装;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • Gmax:

    16 dB @900 MHz

  • ICmax:

    45 mA

  • NFmin:

    1.40 dB @900 MHz

  • OIP3:

    24 dBm

  • OP1dB:

    9 dBm

  • Ptot:

    280 mW

  • VCEOmax:

    15 V

  • Package:

    SOT23

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