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BFR340L3分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

BFR340L3
厂商型号

BFR340L3

参数属性

BFR340L3 封装/外壳为SC-101,SOT-883;包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1

功能描述

NPN Silicon RF Transistor
RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1

文件大小

101.55 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

Infineon英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-25 16:02:00

BFR340L3规格书详情

Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor

• Low voltage/ Low current operation

• Transition frequency of 14 GHz

• High insertion gain

• Ideal for low current amplifiers and oscillators

• Pb-free (RoHS compliant) and halogen-free thin small

leadless package

• Qualification report according to AEC-Q101 available

BFR340L3属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。英飞凌科技公司制造生产的BFR340L3晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

  • 产品编号:

    BFR340L3E6327XTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    9V

  • 频率 - 跃迁:

    14GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1.15dB @ 1.8GHz

  • 增益:

    17.5dB

  • 功率 - 最大值:

    60mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    90 @ 5mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    10mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-101,SOT-883

  • 供应商器件封装:

    PG-TSLP-3-1

  • 描述:

    RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSLP-3-1

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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