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BFR30LT1G分立半导体产品的晶体管-JFET规格书PDF中文资料

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厂商型号

BFR30LT1G

参数属性

BFR30LT1G 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-JFET;产品描述:JFET N-CH 225MW SOT23

功能描述

JFET Amplifiers(N-Channel)
JFET N-CH 225MW SOT23

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

59.4 Kbytes

页面数量

4

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-2 10:31:00

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BFR30LT1G规格书详情

BFR30LT1G属于分立半导体产品的晶体管-JFET。由安森美半导体制造生产的BFR30LT1G晶体管 - JFET结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力,这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道,因此 JFET 不需要偏置电流。

JFET Amplifiers

N−Channel

特性 Features

• Pb−Free Package is Available

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BFR30LT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - JFET

  • 包装:

    散装

  • FET 类型:

    N 通道

  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):

    5pF @ 10V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 描述:

    JFET N-CH 225MW SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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