BFR30LT1G分立半导体产品的晶体管-JFET规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BFR30LT1G |
| 参数属性 | BFR30LT1G 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-JFET；产品描述：JFET N-CH 225MW SOT23 |
| 功能描述 | JFET Amplifiers(N-Channel) |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
59.4 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-2 10:31:00 |
| 人工找货 | BFR30LT1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BFR30LT1G规格书详情
BFR30LT1G属于分立半导体产品的晶体管-JFET。由安森美半导体制造生产的BFR30LT1G晶体管 - JFET结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力，这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道，因此 JFET 不需要偏置电流。
JFET Amplifiers
N−Channel
特性 Features
• Pb−Free Package is Available
产品属性
更多- 产品编号：
BFR30LT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - JFET
- 包装：
散装
- FET 类型：
N 通道
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
5pF @ 10V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 描述：
JFET N-CH 225MW SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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2800 |
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