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BFR193分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

BFR193

参数属性

BFR193 封装/外壳为SOT-723;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3

功能描述

NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz For linear broadband amplifiers)

封装外壳

SOT-723

文件大小

56.92 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

SIEMENS

中文名称

西门子

网址

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数据手册

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更新时间

2026-2-10 11:52:00

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晶体管资料

  • 型号:

    BFR193

  • 别名:

    BFR193三极管、BFR193晶体管、BFR193晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    表面帖装型 (SMD)_超高频/特高频 (UHF)_宽频带

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    20V

  • 最大电流允许值:

    0.08A

  • 最大工作频率:

    8GHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SC3356,2SC3445,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-15

  • vtest:

    20

  • htest:

    8000000000

  • atest:

    0.08

  • wtest:

    0

BFR193规格书详情

NPN Silicon RF Transistor

• For low noise, high-gain amplifiers up to 2GHz

• For linear broadband amplifiers

• fT= 8GHz F= 1.3dB at 900MHz

产品属性

  • 产品编号:

    BFR193FH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    8GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

  • 增益:

    12.5dB

  • 功率 - 最大值:

    580mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    70 @ 30mA,8V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    80mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SOT-723

  • 供应商器件封装:

    PG-TSFP-3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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