BFR182分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BFR182 |
| 参数属性 | BFR182 封装/外壳为SC-70，SOT-323；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 |
| 功能描述 | Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor |
| 封装外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 文件大小 |
236.8 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
| 企业简称 |
ISC【无锡固电】 |
| 中文名称 | 无锡固电半导体股份有限公司官网 |
| 原厂标识 | ISC |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 21:28:00 |
| 人工找货 | BFR182价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BFR182规格书详情
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 12V(Min)
·DC Current Gain-
: hFE= 70(Min)@ IC= 10mA
产品属性
- 产品编号：
BFR182WH6327XTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
8GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
- 增益：
19dB
- 功率 - 最大值：
250mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
70 @ 10mA，8V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
35mA
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-70，SOT-323
- 供应商器件封装：
PG-SOT323
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
SOT-23 |
20300 |
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INFINEON/英飞凌 |
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Infineon |
25+ |
SOT23 |
3000 |
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三年内 |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON/英飞凌 |
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45000 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
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Infineon(英飞凌) |
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