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BFR182 | NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1mA to 20mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA •fT=8GHz F=1.2dBat900MHz | SIEMENS Siemens Ltd |  | |
BFR182 | NPN Silicon RF Transistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA •fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)package •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  | |
BFR182 | NPN Silicon RF Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
BFR182 | Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
Silicon NPN Planar RF Transistor Features •Lownoisefigure •Highpowergain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA. | VishayVishay Siliconix 威世科技 |  | ||
Silicon NPN Planar RF Transistor Description Themainpurposeofthisbipolartransistorisbroadbandamplificationupto2GHz.Inthespace-saving3-pinsurface-mountSOT490packageelectricalperformanceandreliabilityaretakentoanewlevelcoveringasmallerfootprintonPCboardsthanpreviouspackages.Inadditiontos | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
Silicon NPN Planar RF Transistor Features •Lownoisefigure •Highpowergain •Lead(Pb)-freecomponent •ComponentinaccordancetoRoHS2002/95/ECandWEEE2002/96/EC Applications Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA. | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
isc Silicon NPN RF Transistor DESCRIPTION ·Forlownoiseandhighgainbroadbandamplifiers atcollectorcurrentsfrom1mAto20mA. ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Lownoisefigure ·Highpowergain | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | ||
NPN Silicon RF Transistor (For low noise, high-gain broadband amplifiers at collector currents from 1mA to 20mA) NPNSiliconRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA •fT=8GHzF=1.2dBat900MHz | SIEMENS Siemens Ltd | | ||
NPN Silicon RF Transistor LowNoiseSiliconBipolarRFTransistor •Forlownoise,high-gainbroadbandamplifiersatcollectorcurrentsfrom1mAto20mA •fT=8GHz,NFmin=0.9dBat900MHz •Pb-free(RoHScompliant)andhalogen-freepackagewithvisibleleads •QualificationreportaccordingtoAEC-Q101available | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | ||
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晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
表面帖装型 （SMD）_超高频/特高频 （UHF）_宽频带
- 封装形式：
贴片封装
- 极限工作电压：
20V
- 最大电流允许值：
0.035A
- 最大工作频率：
8GHZ
- 引脚数：
3
- 可代换的型号：
2SC3585,
- 最大耗散功率：
- 放大倍数：
- 图片代号：
H-15
- vtest：
20
- htest：
8000000000
- atest：
.035
- wtest：
0
详细参数
- 型号：
BFR182
- 制造商：
Infineon Technologies AG
- 功能描述：
NPN bipolar RF BFR182 8GHz SOT23
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
9048 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2019+ |
SOT23 |
78550 |
原厂渠道 可含税出货 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
SOT-23 |
163000 |
一级代理商现货保证进口原装正品假一罚十价格合理 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
20+ |
SOT-23 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
21+23+ |
SOT-23 |
3000 |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
SOT23 |
7906200 |
询价 | ||||
INFINEON |
15+ |
SOT23 |
3000 |
现货-ROHO |
询价 | ||
INFINEON |
13+ |
SOT23 |
57000 |
特价热销现货库存 |
询价 | ||
INFINEON |
1408+ |
8000 |
SOT-23 |
询价 | |||
INFINEON |
2008++ |
SOT-23 |
30200 |
新进库存/原装 |
询价 |
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