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BFP842ESD

Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

文件:1.38547 Mbytes 页数:28 Pages

INFINEON

英飞凌

BFP842ESDH6327XTSA1

Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor

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INFINEON

英飞凌

BFP842ESD

低噪声RF 管基

BFP842ESD 是一款高性能 RF 异质结双极晶体管 (HBT),具有集成 ESD 保护功能,适用于 2.3 - 3.5 GHz LNA 应用。 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合:最大 RF 输入功率 16 dBm,1.5kV HBM ESD 硬度\n• 高增益 Gma = 17.5 dB @ 3.5 GHz,2.5 V,15 mA\n• 适用于低压应用,例如VCC = 1.2 V 和 1.8 V(2.85 V、3.3 V、3.6 V 需要相应的集电极电阻;

Infineon

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BFP842ESDH6327XTSA1

Package:SC-82A,SOT-343;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频 描述:RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT343

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产品属性

  • 产品编号:

    BFP842ESDH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    3.7V

  • 频率 - 跃迁:

    60GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    0.65dB @ 3.5GHz

  • 增益:

    26dB

  • 功率 - 最大值:

    120mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 15mA,2.5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    40mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-82A,SOT-343

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT343-4-2

  • 描述:

    RF TRANS NPN 3.7V 60GHZ SOT343

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更多BFP842供应商 更新时间2026-4-17 10:07:00