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BFP740ESD	文件：1.93251 Mbytes Page：29 Pages	Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor 文件：1.93251 Mbytes 页数：29 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFP740ESD	文件：1.55917 Mbytes Page：28 Pages	Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 文件：1.55917 Mbytes 页数：28 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFP740ESD_12	文件：1.55917 Mbytes Page：28 Pages	Robust Low Noise Silicon Germanium Bipolar RF Transistor 文件：1.55917 Mbytes 页数：28 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFP740ESDH6327XTSA1	文件：1.93251 Mbytes Page：29 Pages	Robust High Performance Low Noise Bipolar RF Transistor 文件：1.93251 Mbytes 页数：29 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
BFP740ESD	文件：300 bytes Page：1 Pages	低噪声RF 管基 BFP740ESD 是硅锗碳 (SiGe:C) NPN 异质结宽带双极射频晶体管 (HBT)。 • 高端 RF 性能与稳健性的独特组合：21 dBm 最大 RF 输入功率，集成保护电路带来 2 kV ESD 稳健性 (HBM)\n• 高增益 Gms = 25.5 dB (2.4 GHz 时) 和 Gma = 18.5 dB (5.5 GHz 时)、3V、25 mA\n• OIP3 = 24 dBm (5.5 GHz 时)、3V、25 mA;	Infineon 英飞凌	Infineon

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更多BFP740ESD供应商更新时间2026-4-17 16:10:00