BFP650FH6327XT 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 INFINEON/英飞凌

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1+	面议

厂家型号：
BFP650FH6327XT
产品分类：
芯片
生产厂商：
INFINEON
库存数量：
7000
产品封装：
生产批号：
23+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-11-18 8:50:00

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详细信息
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原厂料号：BFP650FH6327XT品牌：INFINEON

BFP650FH6327XT是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商INFINEON/Infineon Technologies生产封装4-SMD，扁平引线的BFP650FH6327XT晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
BFP650FH6327XT
规格书：
下载下载2
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技股份公司
资料说明：
Trans GP BJT NPN 4V 0.15A 4-Pin TSFP T/R

产品属性

类型
描述
产品编号：
BFP650FH6327XTSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
4.5V
频率 - 跃迁：
42GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
增益：
11dB ~ 21.5dB
功率 - 最大值：
500mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
110 @ 80mA，3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
150mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
供应商器件封装：
4-TSFP
描述：
RF TRANS NPN 4.5V 42GHZ 4TSFP

供应商

企业：
天津市博通航睿技术有限公司
商铺：
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联系人：
马总
手机：
18322198211
询价：
电话：
18322198211
地址：
天津市南开区科研西路12号356室

BFP650FH6327XT 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 INFINEON/英飞凌

BFP650FH6327XT

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