BFP640E6327 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 INFINEON/英飞凌

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1+	面议

厂家型号：
BFP640E6327
产品分类：
芯片
生产厂商：
INFINEON
库存数量：
18000
产品封装：
SOT343
生产批号：
19+
库存类型：
热卖库存
更新时间：
2025-7-31 8:02:00

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原厂料号：BFP640E6327品牌：INFINEON

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BFP640E6327是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商INFINEON/Infineon Technologies生产封装SOT343/SC-82A，SOT-343的BFP640E6327晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
BFP640E6327
规格书：
下载下载2
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技股份公司
内容页数：
10 页
文件大小：
154.94 kb
资料说明：
NPN Silicon Germanium RF Transistor

产品属性

类型
描述
产品编号：
BFP640E6327BTSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
4.5V
频率 - 跃迁：
40GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
增益：
24dB
功率 - 最大值：
200mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
110 @ 30mA，3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-82A，SOT-343
供应商器件封装：
PG-SOT343-3D
描述：
RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ SOT343-4

供应商

企业：
深圳市航润创能电子集团有限公司
商铺：
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联系人：
朱小姐
手机：
19520636341
询价：
电话：
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深圳市福田区华强北街道福强社区深南中路2068号华能大厦2303

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