BFP 640FESD E6327_分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频-英飞凌

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厂家型号：
BFP 640FESD E6327
制造商：
INFINEON/英飞凌
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频
封装外壳：
4-SMD，扁平引线
包装：
卷带（TR）
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-11-16 11:10:00

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原厂料号：BFP 640FESD E6327品牌：Infineon Technologies

资料说明：RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP

BFP 640FESD E6327是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商INFINEON/英飞凌生产封装4-SMD，扁平引线的BFP 640FESD E6327晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
BFP%20640FESD%20E6327
规格书：
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企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技股份公司
资料说明：
RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP

产品属性

类型
描述
产品编号：
BFP 640FESD E6327
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
4.7V
频率 - 跃迁：
46GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz
增益：
8B ~ 30.5dB
功率 - 最大值：
200mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
110 @ 30mA，3V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
4-SMD，扁平引线
供应商器件封装：
4-TSFP
描述：
RF TRANS NPN 4.7V 46GHZ 4TSFP

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BFP 640FESD E6327_分立半导体产品 晶体管-双极（BJT）-射频-英飞凌

BFP 640FESD E6327

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