AT-41535G_分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频-Broadcom Limited

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厂家型号：
AT-41535G
制造商：
Broadcom Limited
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频
封装外壳：
4-SMD（35 micro-X）
包装：
卷带（TR）
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2021-9-14 10:50:00

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原厂料号：AT-41535G品牌：Broadcom Limited

资料说明：RF TRANS NPN 12V 8GHZ 35 MICRO X

AT-41535G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商Broadcom Limited生产封装4-SMD（35 micro-X）的AT-41535G晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
at-41535g
规格书：
原厂下载下载
资料说明：
RF TRANS NPN 12V 8GHZ 35 MICRO X

产品属性

类型
描述
产品编号：
AT-41535G
制造商：
Broadcom Limited
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
8GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
增益：
10dB ~ 18dB
功率 - 最大值：
500mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 10mA，8V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
60mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
4-SMD（35 micro-X）
供应商器件封装：
35 micro-X
描述：
RF TRANS NPN 12V 8GHZ 35 MICRO X

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