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BFN18分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

BFN18

参数属性

BFN18 封装/外壳为TO-243AA;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 300V 0.2A SOT89

功能描述

NPN Silicon High-Voltage Transistors
TRANS NPN 300V 0.2A SOT89

封装外壳

TO-243AA

文件大小

47.8 Kbytes

页面数量

5

生产厂商

Infineon

中文名称

英飞凌

网址

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更新时间

2025-11-15 18:23:00

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BFN18规格书详情

BFN18属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由英飞凌科技股份公司制造生产的BFN18晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

NPN Silicon High-Voltage Transistors

● Suitable for video output stages in TV sets and

switching power supplies

● High breakdown voltage

● Low collector-emitter saturation voltage

● Complementary types: BFN17, BFN19 (PNP)

产品属性

更多
  • 产品编号:

    BFN18H6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 2mA,20mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    30 @ 30mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    70MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-243AA

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT89

  • 描述:

    TRANS NPN 300V 0.2A SOT89

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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