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BFG425W中文资料PDF规格书

BFG425W
厂商型号

BFG425W

参数属性

BFG425W 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4

功能描述

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR RF NPN TRANSISTOR MICROWAVE LOW NOISE

文件大小

664.91 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 AiT Semiconductor Inc.
企业简称

AITSEMIAiT創瑞科技

中文名称

AiT創瑞科技官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-26 9:48:00

BFG425W规格书详情

DESCRIPTION

UHF 25 GHz, low noise transistor with SiGe HBT technique, high power gain, low noise and large dynamic range. The adoption of subminiature SOT-343 package, especially suitable for high density surface patch installation, mainly for the VHF, UHF broadband high frequency low noise amplifier.

The BFG425W is available in SOT-343 package.

FEATURES

 High transition frequency

 Top: 55 ℃℃~+85

 N F =1.2dB , Ga=17dB(TYP)

@V

CE =2V, I C =25mA, f=2GHz

 Gmax=20dB(Typ)

@V

CE =2V, I C =25mA, f=2GHz

 Available in SOT-343 p ackage

APPLICATIONS

 RF front end

 Wideband applications, e.g. analog and digital

cellular telephones, cordless telephones (PHS,

DECT, etc.)

 Radar detectors

 Pagers

 Satellite television tuners (SATV)

 High frequency oscillators.

产品属性

  • 产品编号:

    BFG425W,135

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    4.5V

  • 频率 - 跃迁:

    25GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz

  • 增益:

    20dB

  • 功率 - 最大值:

    135mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 25mA,2V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    30mA

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-82A,SOT-343

  • 供应商器件封装:

    CMPAK-4

  • 描述:

    RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NXP/恩智浦
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