BFG424W分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
BFG424W |
参数属性 | BFG424W 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4 |
功能描述 | RF Manual 16th edition |
文件大小 |
9.37507 Mbytes |
页面数量 |
130 页 |
生产厂商 | NXP Semiconductors |
企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-29 17:00:00 |
BFG424W规格书详情
General description
10W plastic LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.
Features and benefits
■ High efficiency
■ Excellent ruggedness
■ Designed for broadband operation
■ Excellent thermal stability
■ High power gain
■ Integrated ESD protection
■ Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding Restriction of Hazardous Substances (RoHS)
Applications
■ CDMA
■ W-CDMA
■ GSM EDGE
■ MC-GSM
■ LTE
■ WiMAX
BFG424W属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。恩智浦半导体公司制造生产的BFG424W晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号:
BFG424W,115
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
4.5V
- 频率 - 跃迁:
25GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz
- 增益:
22dB
- 功率 - 最大值:
135mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
50 @ 25mA,2V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
30mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-82A,SOT-343
- 供应商器件封装:
CMPAK-4
- 描述:
RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
SOT-343 |
23+ |
NA |
15659 |
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NXP/恩智浦 |
1942+ |
SOT-343 |
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NXP |
2023+ |
SOT343 |
8800 |
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NXP/恩智浦 |
2022 |
SOT343 |
80000 |
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NXP |
22+ |
SOT343 |
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NXP/恩智浦 |
SOT343 |
7906200 |
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NXP/恩智浦 |
23+ |
NA/ |
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NXP |
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SOT343 |
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NXP |
23+ |
SOT343 |
30000 |
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NXP/恩智浦 |
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SOT343 |
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