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BFG310W分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

BFG310W
厂商型号

BFG310W

参数属性

BFG310W 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS NPN 6V 14GHZ CMPAK-4

功能描述

NPN 14 GHz wideband transistor
RF TRANS NPN 6V 14GHZ CMPAK-4

文件大小

168.74 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-21 18:28:00

BFG310W规格书详情

General description

NPN silicon planar epitaxial transistor in a 4-pin dual-emitter SOT343R plastic package.

Features

 High power gain

 Low noise figure

 High transition frequency

 Gold metallization ensures excellent reliability

Applications

 Intended for Radio Frequency (RF) front end applications in the GHz range, such as:

 analog and digital cellular telephones

 cordless telephones (Cordless Telephone (CT), Personal Communication

Network (PCN), Digital Enhanced Cordless Telecommunications (DECT), etc.)

 radar detectors

 pagers

 Satellite Antenna TeleVision (SATV) tuners

BFG310W属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。恩智浦半导体公司制造生产的BFG310W晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

产品属性

  • 产品编号:

    BFG310W/XR,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    6V

  • 频率 - 跃迁:

    14GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    1dB @ 2GHz

  • 增益:

    18dB

  • 功率 - 最大值:

    60mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    60 @ 5mA,3V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    10mA

  • 工作温度:

    175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-82A,SOT-343

  • 供应商器件封装:

    CMPAK-4

  • 描述:

    RF TRANS NPN 6V 14GHZ CMPAK-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NXP/恩智浦
22+
SOT223
19745
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NXP/恩智浦
2022
SOT-223
80000
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