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BF998中文资料射频 MOSFET 和有源偏置控制器数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BF998

参数属性

BF998 封装/外壳为TO-253-4,TO-253AA;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143

功能描述

射频 MOSFET 和有源偏置控制器
MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143

封装外壳

TO-253-4,TO-253AA

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2026-2-9 19:00:00

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BF998规格书详情

描述 Description

硅N沟道MOSFET三极管

特性 Features

• 具有高 S / C 品质因数的短沟道晶体管
• 无铅(符合 RoHS 标准)封装

简介

BF998属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由Infineon制造生产的BF998晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BF998

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Cg1ss

    :2.1 pF

  • F

    :1.8 dB

  • gfs

    :24 mS

  • Gp

    :20 dB

  • ID max

    :30 mA

  • Ptotmax

    :200 mW

  • Power gain Gp

    :20 dB @800 MHz

  • Noise figure F

    :1.80 dB @800 MHz

  • Package

    :SOT143

  • Maximum Drain-source voltage Vds

    :12 V

  • Maximum Continuous Drain current ID

    :30 mA

  • Gate input capacitance Cg1ss

    :2.1 pF

  • Forward transconductance gfs

    :24 mS

  • Output capacitance Cdss

    :1.1 pF

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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