BF998中文资料射频 MOSFET 和有源偏置控制器数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
BF998 |
| 参数属性 | BF998 封装/外壳为TO-253-4，TO-253AA；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143 |
| 功能描述 | 射频 MOSFET 和有源偏置控制器 |
| 封装外壳 | TO-253-4，TO-253AA |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 10:31:00 |
| 人工找货 | BF998价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BF998规格书详情
描述 Description
硅N沟道MOSFET三极管
特性 Features
• 具有高 S / C 品质因数的短沟道晶体管
• 无铅（符合 RoHS 标准）封装
简介
BF998属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由制造生产的BF998晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
技术参数
更多- 制造商编号
：BF998
- 生产厂家
：Infineon
- Cg1ss
：2.1 pF
- F
：1.8 dB
- gfs
：24 mS
- Gp
：20 dB
- ID max
：30 mA
- Ptotmax
：200 mW
- Power gain Gp
：20 dB @800 MHz
- Noise figure F
：1.80 dB @800 MHz
- Package
：SOT143
- Maximum Drain-source voltage Vds
：12 V
- Maximum Continuous Drain current ID
：30 mA
- Gate input capacitance Cg1ss
：2.1 pF
- Forward transconductance gfs
：24 mS
- Output capacitance Cdss
：1.1 pF
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
18+ |
SOT-143 |
17868 |
全新原装现货,可出样品,可开增值税发票 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
SOT143-4-1 |
6120 |
正品原装货价格低 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
SOT143 |
8500 |
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
N/A |
6000 |
原装，请咨询 |
询价 | ||
恩XP |
25+ |
SOT143 |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
8048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
询价 | ||
infineon |
23+24 |
SOT143 |
28950 |
专营原装正品SMD二三极管,电源IC |
询价 | ||
恩XP |
2406+ |
SOT143 |
11260 |
诚信经营!进口原装!量大价优! |
询价 | ||
PHI |
24+ |
SOT-143 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
SOT143 |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 |
