BF998分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BF998 |
| 参数属性 | BF998 封装/外壳为TO-253-4，TO-253AA；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143 |
| 功能描述 | Silicon N-Channel MOSFET Tetrode |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT-143 / TO-253-4，TO-253AA |
| 文件大小 |
249.05 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | INFINEON |
| 中文名称 | 英飞凌 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-31 22:59:00 |
| 人工找货 | BF998价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BF998规格书详情
BF998属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BF998晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
Silicon N_Channel MOSFET Tetrode
• Short-channel transistor with high S / C quality factor
• For low-noise, gain-controlled input stage up to 1 GHz
产品属性
更多- 产品编号：
BF998E6327HTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
N 通道
- 频率：
45MHz
- 增益：
28dB
- 额定电流（安培）：
30mA
- 噪声系数：
2.8dB
- 封装/外壳：
TO-253-4，TO-253AA
- 供应商器件封装：
PG-SOT-143-3D
- 描述：
MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
SOT-143 |
6524 |
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INFINEON |
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SOT143 |
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infineon |
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恩XP |
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恩XP |
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