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BF8	文件：256.23 Kbytes Page：1 Pages	Mounting flange 文件：256.23 Kbytes 页数：1 Pages	PF 倍加福	PF
SMAJ13CA	文件：217.72 Kbytes Page：12 Pages	丝印：BF8；Package：SMA；400 W Transient Voltage Suppressor 1. General description 400 W uni- and bi-directional Transient Voltage Suppressor (TVS) in a SMA Surface-Mounted Device (SMD) plastic package, designed for transient voltage protection. 2. Features and benefits • Rated peak pulse power at 10/1000 μs waveform: PPPM = 400 W • Reverse standoff 文件：217.72 Kbytes 页数：12 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
BF800	文件：116.07 Kbytes Page：1 Pages	Discrete Semiconductors Discrets Semiconductors FETs For VHF Amplifiers and Mixers For Low Noise Amplifiers Low leakage/Noise Current Dual Gate Mosfets (N Channel Depletion) Low leakge 文件：116.07 Kbytes 页数：1 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
BF801	文件：116.07 Kbytes Page：1 Pages	Discrete Semiconductors Discrets Semiconductors FETs For VHF Amplifiers and Mixers For Low Noise Amplifiers Low leakage/Noise Current Dual Gate Mosfets (N Channel Depletion) Low leakge 文件：116.07 Kbytes 页数：1 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
BF802	文件：116.07 Kbytes Page：1 Pages	Discrete Semiconductors Discrets Semiconductors FETs For VHF Amplifiers and Mixers For Low Noise Amplifiers Low leakage/Noise Current Dual Gate Mosfets (N Channel Depletion) Low leakge 文件：116.07 Kbytes 页数：1 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
BF803	文件：116.07 Kbytes Page：1 Pages	Discrete Semiconductors Discrets Semiconductors FETs For VHF Amplifiers and Mixers For Low Noise Amplifiers Low leakage/Noise Current Dual Gate Mosfets (N Channel Depletion) Low leakge 文件：116.07 Kbytes 页数：1 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
BF804	文件：116.07 Kbytes Page：1 Pages	Discrete Semiconductors Discrets Semiconductors FETs For VHF Amplifiers and Mixers For Low Noise Amplifiers Low leakage/Noise Current Dual Gate Mosfets (N Channel Depletion) Low leakge 文件：116.07 Kbytes 页数：1 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
BF805	文件：116.07 Kbytes Page：1 Pages	Discrete Semiconductors Discrets Semiconductors FETs For VHF Amplifiers and Mixers For Low Noise Amplifiers Low leakage/Noise Current Dual Gate Mosfets (N Channel Depletion) Low leakge 文件：116.07 Kbytes 页数：1 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
BF806	文件：116.07 Kbytes Page：1 Pages	Discrete Semiconductors Discrets Semiconductors FETs For VHF Amplifiers and Mixers For Low Noise Amplifiers Low leakage/Noise Current Dual Gate Mosfets (N Channel Depletion) Low leakge 文件：116.07 Kbytes 页数：1 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
BF819	文件：56.43 Kbytes Page：8 Pages	NPN high-voltage transistor DESCRIPTION NPN high-voltage transistor in a TO-202; SOT128B plastic package. FEATURES • Low current (max. 100 mA) • High voltage (max. 250 V). APPLICATIONS • Driver for a line output transistor in colour television receivers. 文件：56.43 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI

晶体管资料

型号：
BF819
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
视频输出（Vid）_功率放大（L）_电视（TV）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
300V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BF617,BF859,BF880,BF881,MJE340,
最大耗散功率：
6W
放大倍数：
图片代号：
A-83
vtest：
300
htest：
999900
atest：
0.1
wtest：
6

技术参数

输入电压：
36~75Vdc
输出功率：
800W
功率范围：
300W-1KW
输出路数：
1
尺寸（mm）：
115.6*59.7*12.7
输出范围：
36-72V
安全符合：
符合
散热方式：
集成散热
输出电压1：
48(24~53)VdcV/0-16.7AA
输出电压2：
V/A
输出电压3：
V/A
输出电压4：
V/A
输出电压5：
V/A

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更多BF8供应商更新时间2026-10-14 9:14:00

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