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IRF247	文件：48.41 Kbytes Page：2 Pages	StaticDrain-SourceOn-Resistance	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP247	文件：68.75 Kbytes Page：7 Pages	15Aand14A,275Vand250V,0.28and0.34Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplica	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRFP247	文件：67.83 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISCNL247P	文件：330.94 Kbytes Page：3 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
ISOPLUS247	文件：150.01 Kbytes Page：6 Pages	Uninterruptiblepowersupply XPTIGBT Copack Features/Advantages: ●Easyparallelingduetothepositivetemperaturecoefficientoftheon-statevoltage ●RuggedXPTdesign(XtremelightPunchThrough)resultsin: -shortcircuitratedfor10µsec. -verylowgatecharge -lowEMI -squareRBSOA@3xIc	IXYS IXYS Corporation	IXYS
IT247	文件：303.12 Kbytes Page：2 Pages	Ignitioncurrent10mA-25mARisetimetatR400	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
K247	文件：83.74 Kbytes Page：2 Pages	MKTZweipol-Funk-Entst철rkondensatorenKlasseMKTTwo-poleRadio	EICHHOFF Eichhoff Electronics,Inc.	EICHHOFF
K247	文件：3.9756 Mbytes Page：5 Pages	HIGHPOWERLATCHINGRELAY ApplicationNotes 1.Itispossiblethatduringtransitorfinalassemblytherelaycouldchangestate.Therefore,itisrecommendedthatallrelaysbesettothedesiredstateviaapowersupply. 2.Inordertomaintainan“Open”or“Closed”stateoftherelay,thecoilvoltageshouldreachthe	KGKG Technologies, Inc. 宏发科技宏发科技股份有限公司	KG
KP247	文件：103.59 Kbytes Page：2 Pages	QuickConnectControlledAvalancheRectifier QuickConnectControlledAvalancheRectifier •RuggedConstruction •GlassPassivatedDie •ConvenientMounting •QuickConnect1/4Tabs	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
L-247	文件：67.44 Kbytes Page：2 Pages	CommonModeInductors	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND

详细参数

型号：
BF247A_Q
功能描述：
JFET N-Channel Transistor
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的
Idss）：
50 mA 漏源电压
VDS：
15 V
漏极连续电流：
50 mA
封装/箱体：
SC-59
封装：
Reel

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更多BF247A_Q供应商更新时间2024-3-26 15:06:00

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