选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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NXP/恩智浦SOT363 |
8550 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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NXP/恩智浦SOT363 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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NXP/恩智浦SOT363 |
12000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司7年
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NXP/恩智浦SOT-363 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市钦宇承科技有限公司2年
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NXP/恩智浦SOT363 |
12000 |
07+ |
只做原装/假一赔百 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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NXPSOT363 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
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NXPSOT363 |
32000 |
21+ |
一级代理放心采购 |
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深圳市环球伟业电子有限公司2年
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NXP/恩智浦SOT363 |
6000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
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NXP/恩智浦SOT-363 |
54258 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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PHILIPSSOT-363 |
10500 |
06+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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PHILIPS/飞利浦SOT363 |
10880 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
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NXP/恩智浦SOT363 |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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NXP/恩智浦SOT363 |
6500 |
23+ |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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NXPSOT-363 |
6852 |
1822+ |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
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SOT-363NA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
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深圳市亿联芯电子科技有限公司13年
留言
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NXP/恩智浦SOT363 |
12000 |
2023+ |
全新正品旗舰店,价格绝对优势 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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NXP/恩智浦NA/ |
12000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市莱克讯科技有限公司5年
留言
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NXPSOT363 |
65895 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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NXP/恩智浦SOT-363 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
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NXPSOT363 |
40825 |
22+23+ |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
BF1206采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
BF1206图片
BF1206中文资料Alldatasheet PDF
更多BF1206功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel
BF1206,115功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel
BF1206115制造商:Rochester Electronics LLC 制造商:NXP Semiconductors
BF1206F制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel dual gate MOSFET
BF1206F,115功能描述:射频MOSFET小信号晶体管 Dual N-Channel 6V 30mA 180mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS(导通): 汲极/源极击穿电压:6 V 闸/源击穿电压:6 V 漏极连续电流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SC-88 封装:Reel