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BF1202WR
厂商型号

BF1202WR

参数属性

BF1202WR 封装/外壳为SC-82A,SOT-343;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:MOSFET N-CH DUAL GATE 4DFP

功能描述

N-channel dual-gate PoLo MOS-FETs

文件大小

116.05 Kbytes

页面数量

16

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

Philips飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-22 23:43:00

BF1202WR规格书详情

DESCRIPTION

Enhancement type N-channel field-effect transistor with source and substrate interconnected. Integrated diodes between gates and source protect against excessive input voltage surges. The BF1202, BF1202R and BF1202WR are encapsulated in the SOT143B, SOT143R and SOT343R plastic packages respectively.

FEATURES

• Short channel transistor with high forward transfer admittance to input capacitance ratio

• Low noise gain controlled amplifier

• Partly internal self-biasing circuit to ensure good cross-modulation performance during AGC and good DC stabilization.

APPLICATIONS

• VHF and UHF applications with 3 to 9 V supply voltage, such as digital and analogue television tuners and professional communications equipment.

产品属性

  • 产品编号:

    BF1202WR,135

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    N 通道双门

  • 频率:

    400MHz

  • 增益:

    30.5dB

  • 额定电流(安培):

    30mA

  • 噪声系数:

    0.9dB

  • 封装/外壳:

    SC-82A,SOT-343

  • 供应商器件封装:

    CMPAK-4

  • 描述:

    MOSFET N-CH DUAL GATE 4DFP

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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