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HO-P-2203	文件：1.33861 Mbytes Page：15 Pages	CurrentTransducer	LEMlem 莱姆莱姆集团	LEM
HT2203L	文件：548.52 Kbytes Page：24 Pages	LCDMODULE(240횞RGB횞320Dots)	HYES HYES Optoelectronics, Inc.	HYES
HV2203	文件：841.58 Kbytes Page：9 Pages	LowChargeInjection,8-ChannelHighVoltageAnalogSwitch GeneralDescription TheSupertexHV2203isalowchargeinjection8-channelhighvoltageanalogswitchintegratedcircuit(IC)intendedforuseinapplicationsrequiringhighvoltageswitchingcontrolledbylowvoltagesignals,suchasmedicalultrasoundimaging,piezoelectrictransducerdriver	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
HV2203FG-G	文件：841.58 Kbytes Page：9 Pages	LowChargeInjection,8-ChannelHighVoltageAnalogSwitch GeneralDescription TheSupertexHV2203isalowchargeinjection8-channelhighvoltageanalogswitchintegratedcircuit(IC)intendedforuseinapplicationsrequiringhighvoltageswitchingcontrolledbylowvoltagesignals,suchasmedicalultrasoundimaging,piezoelectrictransducerdriver	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
HV2203PJ-G	文件：841.58 Kbytes Page：9 Pages	LowChargeInjection,8-ChannelHighVoltageAnalogSwitch GeneralDescription TheSupertexHV2203isalowchargeinjection8-channelhighvoltageanalogswitchintegratedcircuit(IC)intendedforuseinapplicationsrequiringhighvoltageswitchingcontrolledbylowvoltagesignals,suchasmedicalultrasoundimaging,piezoelectrictransducerdriver	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
IIRL2203N	文件：338.89 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRL2203	文件：221.17 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=7.0mohm,Id=116A?? Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203N	文件：221.17 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=7.0mohm,Id=116A?? Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF
IRL2203N	文件：338.89 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRL2203NL	文件：132.36 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=7.0mohm,Id=116A?? Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,	IRF International Rectifier	IRF

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