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BEGV639M	文件：302.88 Kbytes Page：3 Pages	Display Embedded System	BOLYMIN ?BOLYMIN INC	BOLYMIN
BEGV639M_17	文件：3.97807 Mbytes Page：1 Pages	High Performance Low power Pic 16-bit microprocessor	BOLYMIN ?BOLYMIN INC	BOLYMIN
BEGV639M1	文件：302.88 Kbytes Page：3 Pages	Display Embedded System	BOLYMIN ?BOLYMIN INC	BOLYMIN
BEGV639M2	文件：302.88 Kbytes Page：3 Pages	Display Embedded System	BOLYMIN ?BOLYMIN INC	BOLYMIN
BEGV639M3	文件：302.88 Kbytes Page：3 Pages	Display Embedded System	BOLYMIN ?BOLYMIN INC	BOLYMIN
639BG	文件：5.24448 Mbytes Page：30 Pages	DualBCMPFCController OverviewoftheEvaluationBoard TheFAN9611/12interleaveddualBoundary-Conduction-Mode(BCM)Power-FactorCorrection(PFC)controllersoperatetwoparallel-connectedboostpowertrains180ºoutofphase.Interleavingextendsthemaximumpracticalpowerlevelofthecontroltechniquefromabout	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
639H	文件：324.88 Kbytes Page：8 Pages	600Hand600NHseries	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
AD639	文件：900.71 Kbytes Page：12 Pages	UNIVERSALTRIGONOMETRICFUNCTIONCONVERTER	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
BB639	文件：405.46 Kbytes Page：3 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiodes SiliconVariableCapacitanceDiodes •FortuningofextendedfrequencybandinVHFTV/VTRtuners •Highcapactanceratio •Lowseriesinductance •Lowseriesresistance •Excellentuniformityandmatchingduetoin-linematchingassemblyprocedure •Pb-free(RoHScompliant)package1) •Qu	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BB639	文件：76.46 Kbytes Page：7 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiodes	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BB639	文件：30.29 Kbytes Page：3 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode(FortuningofextendedfrequencybandsinVHFTV/VTRtuners) SiliconVariableCapacitanceDiode ●FortuningofextendedfrequencybandsinVHFTV/VTRtuners	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BB639C	文件：88.99 Kbytes Page：8 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BB639C	文件：405.55 Kbytes Page：3 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode SiliconVariableCapacitanceDiode •FortuningofextendedfrequencybandinVHFTV/VTRtuners •Highcapacitanceratio •Lowseriesinductance •Lowseriesresistance •Excellentuniformityandmatchingduetoin-linematchingassemblyprocedure •Pb-free(RoHScompliant)package1) •Qu	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BB639C	文件：40.49 Kbytes Page：3 Pages	SiliconVariableCapacitanceDiode(FortuningofextendedfrequencybandinVHFTV/VTRtuners) SiliconVariableCapacitanceDiode •FortuningofextendedfrequencybandinVHFTV/VTRtuners	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BC639	文件：126.58 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconAFTransistors(HighcurrentgainHighcollectorcurrent) NPNSiliconAFTransistors ●Highcurrentgain ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC636,BC638,BC640(PNP)	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS
BC639	文件：55.86 Kbytes Page：4 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR SwitchingandAmplifierApplications •ComplementtoBC636/638/640	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC639	文件：116.59 Kbytes Page：4 Pages	HighCurrentTransistors HighCurrentTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
BC639	文件：43.78 Kbytes Page：8 Pages	NPNmediumpowertransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. PNPcomplements:BC636,BC638andBC640. FEATURES •Highcurrent(max.1A) •Lowvoltage(max.80V). APPLICATIONS •Driverstagesofaudio/videoamplifiers.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC639	文件：184.61 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARYSILICONTRANSISTORS	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
BC639	文件：25.67 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES 1Ampcontinuouscurrent Ptot=800mW	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

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详细参数

型号：
BEGV639M
制造商：
BOLYMIN
制造商全称：
Bolymin, Inc
功能描述：
Display Embedded System

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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