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BC639	文件：25.67 Kbytes Page：1 Pages	NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR FEATURES * 1 Amp continuous current * Ptot= 800 mW 文件：25.67 Kbytes 页数：1 Pages	ZETEX	ZETEX
BC639	文件：55.86 Kbytes Page：4 Pages	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Switching and Amplifier Applications • Complement to BC636/638/640 文件：55.86 Kbytes 页数：4 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
BC639	文件：66.58 Kbytes Page：4 Pages	High Current Transistors High Current Transistors NPN Silicon Features • These are Pb−Free Devices* 文件：66.58 Kbytes 页数：4 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC639	文件：43.78 Kbytes Page：8 Pages	NPN medium power transistors DESCRIPTION NPN transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. PNP complements: BC636, BC638 and BC640. FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Driver stages of audio/video amplifiers. 文件：43.78 Kbytes 页数：8 Pages	PHI PHI	PHI
BC639	文件：121.16 Kbytes Page：5 Pages	SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS High Current Transistor 文件：121.16 Kbytes 页数：5 Pages	CDIL	CDIL
BC639	文件：116.59 Kbytes Page：4 Pages	High Current Transistors High Current Transistors NPN Silicon 文件：116.59 Kbytes 页数：4 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
BC639	文件：161.15 Kbytes Page：15 Pages	80 V, 1 A NPN medium power transistors General description NPN medium power transistor series. Features ■ High current ■ Two current gain selections ■ High power dissipation capability Applications ■ Linear voltage regulators ■ Low-side switches ■ MOSFET drivers ■ Amplifiers 文件：161.15 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
BC639	文件：161.15 Kbytes Page：15 Pages	80 V, 1 A NPN medium power transistors General description NPN medium power transistor series. Features ■ High current ■ Two current gain selections ■ High power dissipation capability Applications ■ Linear voltage regulators ■ Low-side switches ■ MOSFET drivers ■ Amplifiers 文件：161.15 Kbytes 页数：15 Pages	恩XP	恩XP
BC639	文件：880.65 Kbytes Page：5 Pages	TO-92 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR (NPN) FEATURES ● High current transistors 文件：880.65 Kbytes 页数：5 Pages	JIANGSU 长电科技	JIANGSU
BC639	文件：184.61 Kbytes Page：2 Pages	COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS 文件：184.61 Kbytes 页数：2 Pages	MICRO-ELECTRONICS	MICRO-ELECTRONICS

晶体管资料

型号：
BC639(-6...-10)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_TR_输出极（E）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
80V
最大电流允许值：
1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
BC489,BC538,3DK10E,
最大耗散功率：
0.8W
放大倍数：
图片代号：
A-20
vtest：
80
htest：
999900
atest：
1
wtest：
0.8

产品属性

产品编号：
BC639
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 80V 1A TO92

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