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BDY96D	文件：184.25 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor 文件：184.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDY96D	文件：129.21 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Power Transistor 文件：129.21 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDY96D	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 350V 10A	NJS	NJS

技术参数

Configuration：
Single
Material：
Si
Maximum Collector Base Voltage：
750V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage：
1.5@0.5A@2.5A3@1.25A@4A
Maximum Collector Emitter Voltage：
350V
Maximum DC Collector Current：
10A
Maximum Emitter Base Voltage：
7V
Maximum Operating Temperature：
150ﾡC
Maximum Power Dissipation：
40000mW
Maximum Transition Frequency：
10(Typ)MHz
Type：
NPN

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更多BDY96D供应商更新时间2025-12-4 16:01:00

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