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BDY55X

isc Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION • Excellent Safe Operating Area • DC Current Gain- : hFE=20-100@IC = 4A • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.1 V(Max)@ IC = 4A APPLICATIONS • Designed for general-purpose switching and amplifier applications

文件:184.28 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

BDY55X

Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3

文件:16.32 Kbytes 页数:1 Pages

SEME-LAB

详细参数

  • 型号:

    BDY55X

  • 功能描述:

    NPN

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ISC/固电
23+
TO-3
5000
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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24+
TO-3
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专业铁帽
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原装铁帽专营,代理渠道量大可订货
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ST/意法
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NA/
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Nexperia/安世
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更多BDY55X供应商 更新时间2025-12-13 16:45:00