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BDY24	文件：168.67 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA [COMSET] NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA LF Large Signal Power Amplification High Current Fast Switching 文件：168.67 Kbytes 页数：4 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BDY24	文件：224.87 Kbytes Page：2 Pages	isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 90V(Min.) • Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.6V(Max)@ IC = 2A • High Switching Speed APPLICATIONS • Designed for LF signal powe amplifier applications. 文件：224.87 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
BDY24	文件：99.45 Kbytes Page：3 Pages	LF large signal power amplification • LF large signal power amplification Amplification BF grands siyniux de puissance • High current fatt switching Commutation rapide ton cotiim 文件：99.45 Kbytes 页数：3 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
BDY24	文件：250.38 Kbytes Page：4 Pages	NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA LF Large Signal Power Amplification High Current Fast Switching 文件：250.38 Kbytes 页数：4 Pages	COMSET	COMSET
BDY24	文件：79.05 Kbytes Page：3 Pages	NPN SILICON TRANSISTORS, DIFFUSED MESA 文件：79.05 Kbytes 页数：3 Pages	COMSET	COMSET
BDY24B	文件：11.29 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package. 文件：11.29 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BDY24C	文件：11.29 Kbytes Page：1 Pages	Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package 文件：11.29 Kbytes 页数：1 Pages	SEME-LAB	SEME-LAB
BDY24	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Junction Transistors	TT Electronics	TT Electronics
BDY24C	文件：300 bytes Page：1 Pages	Bipolar Junction Transistors	TT Electronics	TT Electronics
BDY24CCLB	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans GP BJT NPN 90V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-3	NJS 新泽西半导体	NJS

晶体管资料

型号：
BDY24(A-C)
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-NPN
性质：
低频或音频放大（LF）_开关管（S）_功率放大（L
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
100V
最大电流允许值：
6A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
BDY53,BU109,BUY20,BUY55,3DA74C,
最大耗散功率：
85W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
100
htest：
999900
atest：
6
wtest：
85

技术参数

Configuration：
Single
Maximum Collector Emitter Voltage：
90V
Maximum DC Collector Current：
6A
Maximum Power Dissipation：
85000mW
Maximum Transition Frequency：
10(Typ)MHz
Type：
NPN

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