BDX54C中文资料PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR数据手册Wing Shing Computer规格书
| 厂商型号 |
BDX54C |
| 参数属性 | BDX54C 封装/外壳为TO-220-3；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP DARL 100V 8A TO220 |
| 功能描述 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | Wing Shing Computer Wing Shing Computer Components |
| 中文名称 | 永盛电子 永盛电子(香港)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-28 22:59:00 |
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技术参数
- 产品编号：
BDX54C
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
PNP - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2V @ 12mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500µA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
750 @ 3A，3V
- 工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
TRANS PNP DARL 100V 8A TO220
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
24+ |
TO-220 |
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24+ |
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23+ |
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