BDX34C数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
BDX34C |
参数属性 | BDX34C 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP DARL 100V 10A TO220 |
功能描述 | 互补硅功率达林顿晶体管 |
封装外壳 | TO-220-3 |
制造商 | ST STMicroelectronics |
中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-9 23:01:00 |
人工找货 | BDX34C价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
BDX34C规格书详情
描述 Description
The BDX33B and BDX33C are silicon Epitaxial-Base NPN power transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-220 plastic package. They are intented for use in power linear and switching applications.
The complementary PNP types are BDX34B and BDX34C respectively.
简介
BDX34C属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BDX34C晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BDX34C
- 生产厂家
:ST
- Marketing Status
:Active
- Grade
:Industrial
- Transistor Polarity
:PNP
- Collector-Emitter Voltage_max(V)
:100
- Collector-Base Voltage_max(V)
:100
- Collector Current_abs_max(A)
:10
- Dc Current Gain_min
:750
- Test Condition for hFE (IC)
:3
- Test Condition for hFE (VCE)_spec(V)
:3
- VCE(sat)_max(V)
:2.5
- Test Condition for VCE(sat) - IC
:3
- Test Condition for VCE(sat) - IB_spec(mA)
:6
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
2739 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
ST(意法半导体) |
24+ |
TO220 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
询价 | ||
ON |
23+ |
TO-220 |
20000 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
TO-220 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
ST全系列 |
25+ |
TO-220 |
170 |
原装正品,假一罚十! |
询价 | ||
ST/ON |
25+ |
TO-220 |
45000 |
ST/ON全新现货BDX34C即刻询购立享优惠#长期有排单订 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
TO-220-3 |
10000 |
十年沉淀唯有原装 |
询价 | ||
ST |
1025 |
TO-220 |
150 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
STM |
19+ |
TO-220-3 |
50 |
询价 |